外资抛售三星、SK海力士合计176万亿韩元,现代汽车证券提四大关键观察信号
韩国交易所数据显示,外国投资者今年在KOSPI主板累计净卖出203.6977万亿韩元,其中三星电子、SK海力士合计被净卖出约176万亿韩元,占86%,三星电子外资持股比例降至2008年以来新低。现代汽车证券分析师金在胜提出四大观察变量:11月3日美国中期选举、美伊谈判、11月中旬Anthropic上市,以及本月末三星电子与SK海力士发布财报。
韩国交易所数据显示,外国投资者今年在KOSPI主板累计净卖出203.6977万亿韩元,其中三星电子、SK海力士合计被净卖出约176万亿韩元,占86%,三星电子外资持股比例降至2008年以来新低。现代汽车证券分析师金在胜提出四大观察变量:11月3日美国中期选举、美伊谈判、11月中旬Anthropic上市,以及本月末三星电子与SK海力士发布财报。
SK海力士研发负责人Ahn Hyun在2026年韩国半导体展上预测,受AI推理需求快速增长推动,到2030年人工智能基础设施的性能规模将提升约20倍。他指出AI推理市场正从任务复杂度、单次处理信息量、推理请求总量三个维度同步扩张,推高对HBM、DRAM及SSD等存储介质的需求。SK海力士正布局3D堆叠DRAM、高带宽闪存HBF,并持续迭代现有HBM产品性能。
据韩国媒体Dealsite援引半导体设备行业知情人士,SK海力士原定今年下半年交付的部分HBM4后道设备订单被推迟至明年,后续发单计划尚未明确,明年投资计划也未向部分供应商正式传达。
SK海力士在2026年半导体展览会(SEDEX)上预测,受AI推理需求激增推动,到2030年AI基础设施性能规模将增长约20倍。开发部门负责人Ahn Hyun称,AI推理市场正从任务复杂度、单次处理信息量和推理请求数量三方面同步扩张,KV缓存对HBM、DRAM和SSD的容量需求日益增长。SK海力士正开发3D堆叠DRAM和高带宽闪存(HBF)等下一代存储技术,并继续提升现有HBM产品性能。
兆易创新2026年上半年实现归母净利润68.57亿元,是2025年全年净利润的4.16倍;营收115.66亿元,同比增长178.67%,扣非归母净利润48.83亿元,同比增长796.90%。
推荐理由:兆易创新上半年归母净利润68.57亿元,存储业务贡献96.32%新增毛利,长鑫科技持股账面增值77.62亿元。
海关总署副署长王军在国新办新闻发布会上表示,前三季度我国进口快速增长,主要得益于经济运行平稳、超大规模市场效应持续释放、先进制造业发展壮大以及关键零部件等中间品需求旺盛。前三季度我国进口存储部件增长1.5倍,集成电路增长56.6%,航空器零部件增长17.6%。
海关总署副署长王军在国新办新闻发布会上表示,前三季度我国进口快速增长,主要得益于经济运行平稳、超大规模市场效应持续释放、先进制造业不断发展壮大、关键零部件等各类中间品需求旺盛。前三季度,我国进口存储部件增长1.5倍,集成电路增长56.6%,航空器零部件增长17.6%。
SK集团会长崔泰源同意以5440亿韩元(4.06亿美元)将其持有的SK Inc 1.34%股份出售给与戴尔科技创始人迈克尔·戴尔关联的投资基金。这是崔泰源计划通过出售股份筹集9440亿韩元、用于向前妻支付离婚赔偿金的一部分。此次股权收购由戴尔家族投资基金完成,而非戴尔科技公司本身。
苹果盘中市值突破5万亿美元,标普500基本持平、纳指小幅下跌,存储股续跌打压科技股。长鑫科技4F² DRAM架构取得进展并计划年底推出服务器内存产品,全球存储芯片股遭抛售。摩根大通三季度调整后营收509亿美元不及预期,高盛Q3净营收186.8亿美元、股票交易收入大增72%。
美联储三把手威廉姆斯称今年可能再加息一次,但2027年没有必要继续加息;日本央行官员倾向本月不再加息。长鑫科技披露4F² DRAM架构进展并计划年底推出服务器内存产品,引发韩国、美国等全球存储芯片股抛售,韩国综合指数重挫5.5%。摩根大通三季度调整后营收509亿美元不及预期,高盛Q3净营收186.8亿美元、股票交易收入大增72%。
美光周二收跌3.62%,成交270.92亿美元,市场担忧存储芯片价格上涨周期见顶、后续报价回落。韩国SK海力士和三星电子分别下跌10%、7%,两家已连续五个交易日收跌。英伟达CEO黄仁勋称计划未来一周宣布在欧洲投资20亿美元。
美股三大股指周二收跌,道琼斯工业平均指数下跌179点、跌幅0.35%,纳斯达克综合指数下跌0.15%。摩根大通第三季度盈利和营收均不及分析师预期,富国银行跌2%,高盛营收超预期小幅上涨。受韩国Kospi指数下跌5.5%影响,存储芯片股承压,SK海力士跌近4%,美光科技跌近5%。
10月13日周二,从韩国、日本到美国,全球半导体板块遭遇重挫。韩国综合股价指数(KOSPI)收跌5.5%,日本存储芯片制造商铠侠(Kioxia)跌超10%;美股盘中费城半导体指数(SOX)一度跌超3%,美光科技(MU)一度跌超6%,闪迪(SNDK)、希捷科技(STX)和西部数据(WDC)也重挫。
推荐理由:全球芯片股跨市场抛售,存储股领跌,长鑫4F² DRAM进展与AI融资成本上升成为触发因素。
受韩国综合指数(KOSPI)大幅下挫拖累,芯片板块抛售行情进一步发酵,美光(MU)与SK海力士(SKHY)周二股价大跌5%。韩国本土市场上,SK海力士(000660.KS)和三星电子(005930.KS)分别下跌10%、7%,两家企业已连续五个交易日收跌,其总市值占韩国股市总市值一半以上。
10月13日亚洲交易时段三星电子、SK海力士股价暴跌,晚间美股存储芯片板块继续下挫,海外市场认为抛售催化来自长鑫科技的新技术。长鑫科技总裁曹堪宇在10月9日至10日于上海举行的第四届集成芯片和芯粒大会上介绍公司在DRAM器件、4F²架构及混合键合方向的探索,并官宣预计年底推出融合上述技术的新一代DDR5 RDIMM产品。
周二美股三大股指分化,道指涨0.76%,标普500指数跌0.08%,纳指跌0.32%,交易员消化多家大型银行密集发布的财报。韩国综合指数隔夜下跌5.5%,SK海力士与希捷科技双双大跌6%,西部数据跌7%,美光科技与闪迪跌幅均超4%,存储芯片板块承压。FactSet数据显示,分析师平均预期标普500成分股企业利润同比增幅接近30%。
美股盘初道指涨0.8%、标普500指数跌0.1%、纳指跌0.4%,费城半导体指数跌超2%,存储芯片股普跌,SK海力士跌约6%。高盛涨约3%,公司Q3净营收186.8亿美元,股票交易收入大增72%。
美股盘初道指涨0.8%、标普500指数跌0.1%,费城半导体指数跌超2%,存储芯片股普跌,SK海力士、西部数据、美光科技均跌约6%,希捷科技跌约7%。高盛涨约3%,Q3净营收186.8亿美元,股票交易收入大增72%;摩根大通涨约3%,Q3调整后营收509亿美元不及预期,固收交易收入下滑4%。苹果股价再创历史新高。
高盛Q3净营收186.8亿美元,股票交易收入大增72%,固收收入同比下滑近1%;摩根大通Q3调整后营收509亿美元不及预期,固收交易收入意外下滑4%。香港证监会对涉嫌操纵首次公开招股的集团采取行动并暂停茶百道股份交易。全球AI交易再重挫,美股盘前存储普跌、SK海力士跌约5%,韩股收跌5.47%,现货黄金一度突破4200。
SK海力士在2026年OCP全球峰会上发布MARS内存加速架构与HBF高带宽闪存技术。MARS可将多轮AI推理的首次标记时间(TTFT)提升3至5倍,HBF带宽约为HBM的一半、容量约为HBM的14倍,计划2028年初推出样品。
芯片制造商抛售延续第二个交易日,纳指期货跌0.70%,标普500指数期货跌0.08%,道指期货涨0.39%。韩国KOSPI暴跌超5%,三星电子和SK海力士遭大幅抛售,MSCI亚太(日本除外)指数跌超2%。市场等待美国CPI数据及花旗、高盛、摩根大通、富国银行财报。
摩根士丹利指出,三星和SK海力士目前远期市盈率仅约3至4倍,看似便宜,却可能暗藏周期顶部的估值陷阱,即便AI存储超级周期仍在延续。历史上,存储股往往领先盈利峰值见顶:2008年和2012年提前约4个月,2018年提前约8个月。随着新增产能于2027年下半年逐步释放,供需变化可能引发新一轮周期拐点。
美股盘前存储芯片股普跌,SK海力士跌约5%,西部数据跌约4%,闪迪跌约4%,美光科技跌约3%,希捷科技跌约3%。
10月13日港股三大指数午后回升,恒生指数涨0.3%报24345.22,恒生科技指数跌0.79%,国企指数涨0.08%。科网股跌多涨少,联想、京东跌超3%,小米涨超2%;石油股活跃,中石油涨超3%,布伦特油徘徊于105美元高位;存储概念股低迷,南方东英SK海力士每日杠杆最多(2x)产品跌超17%。
世界贸易证券公司首席执行官尼古拉斯・穆加利预计,闪迪股价未来两年内可能上涨约102%至3000美元,届时基于预期盈利计算的市盈率仍低于9倍。其估值依据是瑞穗对闪迪2030财年营收超800亿美元的预测,以及公司长期财务框架中约75%的非GAAP营业利润率目标。穆加利还提到,闪迪2027财年约一半、2028财年三分之二的存储容量已获客户承诺。
三星电子在旧金山开幕的2026年开放计算项目全球峰会上公布下一代内存与存储技术战略,提出高性能内存、基于CXL的内存扩展技术、搭载新一代SSD的数据存储与管理方案三大方向。三星企业副总裁沈浩俊表示,随着AI模型体量增大,内存扩容与数据存储技术的重要性正持续上升。三星还计划在本次峰会与AMD联合展示基于CXL的内存扩展方案,以解决现有系统内存容量瓶颈。
三星电子在OCP全球峰会上发布下一代内存与存储技术战略,聚焦高性能存储器、基于CXL的存储扩展技术及新一代SSD数据存储与管理方案三大方向。三星副总裁Shim Ho-jun表示,随着AI模型规模扩大和KV缓存需求增加,内存容量扩展与数据存储技术愈发重要。三星还计划与AMD联合展示基于CXL的内存扩展解决方案。
长鑫存储总裁曹堪宇宣布在下一代4F²存储单元架构上取得关键进展,计划2026年底前推出基于该架构的DDR5服务器内存产品。消息冲击美股芯片板块,费城半导体指数周一下跌2.7%创三周新低,美光收跌约4%、闪迪跌近6%、SK海力士ADR跌超4%。
推荐理由:长鑫存储4F²架构进展引发美股存储板块集体下挫,费城半导体指数跌2.7%,呈现技术突破对海外同行的情绪冲击。
港股三大指数集体下跌,截至午间收盘恒生指数跌0.39%报24176.05,恒生科技指数跌1.54%,国企指数跌0.57%。科网股普跌,京东跌超3%;存储概念股低迷,南方东英SK海力士每日杠杆最多(2x)产品跌超18%,受亚洲科技股抛售及市场对长鑫存储竞争担忧影响。航运及港口板块活跃,中远海能涨超2%,中东地缘局势升温推动油轮运费飙升。
10月13日A股早盘集体低开,创业板指一度跌3.21%失守2900点,科创综指跌超3%抹去年内升幅,中芯国际、海光信息、中微公司均跌约4%,港股恒科指跌超2%。午后三大指数探底回升,沪指重新站上3800点,PCB、覆铜板掀涨停潮,军工板块爆发,恒指转涨。早盘白酒、煤炭、海运等板块逆势走强,皇台酒业涨停,安泰集团逼近涨停。
亚太股市周二大幅下挫,韩国综合指数一度跌5.1%并触发Sidecar熔断,三星电子、SK海力士双双跌逾6%,软银集团跌超8%。长鑫存储总裁曹堪宇宣布在下一代4F²存储单元架构上取得关键进展,计划2026年底前推出基于该架构的服务器内存产品。美国大型银行财报季同日启动,高盛、摩根大通、花旗集团和富国银行均将发布业绩。
港股三大指数集体低开,恒指开盘跌0.41%报24172.09点,恒科指跌0.96%,国企指数跌0.39%。科网股跌多涨少,联想、京东跌超2%,小米涨近1%;存储概念股低开,南方东英SK海力士每日杠杆最多(2x)产品跌超14%。创新药概念股多数下跌,药明生物跌超3%,汽车股走弱,赛力斯跌超2%。
南亚科技总经理李培瑛称,预计第四季度DRAM价格将继续上涨,各产品涨幅有所不同,毛利率可能优于第三季度。客户正积极洽谈长期供应协议,一些战略合作伙伴盼望通过入股确保产能。
南亚科技总经理李培瑛称,预计第四季度DRAM价格将继续上涨,各产品涨幅有所不同,毛利率可能优于第三季度。客户正积极洽谈长期供应协议,一些战略合作伙伴盼望通过入股确保产能。
美光周一收跌3.88%,闪迪跌5.97%,两只标杆股连续七个交易日中六个交易日下跌,美光距6月高点跌幅接近20%。此轮调整源于三重冲击:韩国市场假日后补跌、三星与SK海力士合计约400亿美元回购计划提前终止,以及长鑫科技宣布4F²架构取得关键进展并计划年底推出服务器内存产品。
Counterpoint Research初步数据显示,2026年第三季度全球智能手机出货量同比下滑20%,创十四年来同期最低。三星份额升至23%居首,苹果升至22%并首次在第三季度突破20%,小米出货量骤降逾30%、份额降至10%,OPPO和vivo份额分别收窄至9%和8%。存储芯片危机连续第二个季度冲击手机市场,AI基础设施建设挤占内存供应、推高元件成本,厂商普遍上调售价、削减低端出货。
10月13日美股成交额榜中,美光收跌3.88%、成交234.7亿美元,闪迪收跌5.97%;韩国三星电子、SK海力士承压,外资持有三星电子股份比例降至46.37%,为2009年7月以来最低。Meta收涨3.38%,发布Muse Wonder及Wonder Full AI模型,并称Muse用户7日回访率超30%。英伟达联合思科推出USFP光模块,单模块容量最高12.8Tb/s。
Counterpoint Research初步估计数据显示,受内存芯片成本飙升和供应短缺压力,全球智能手机出货量同比下降20%,创下自2012年以来第三季度的最低水平。内存元件价格上涨推高生产成本,促使制造商上调零售价、削减出货量。三星以23%的市场份额保持领先,本季度出货量同比下降3%;苹果份额达22%,首次在第三季度突破20%。
Marvell于10月12日发布第二代Structera X 3406和3506 CXL内存扩展器,称其为业界首款六通道CXL 3.2内存扩展器,单控制器最高支持9TB DDR4或6TB DDR5内存,内存通道数较上一代增加50%。
美股盘初三大指数涨跌不一,道指涨0.2%,标普500指数涨0.1%,纳指跌0.1%。费城半导体指数跌1.8%,存储芯片股普跌,SK海力士跌约3%,美光科技跌约4%,西部数据跌约2%,闪迪跌约4%。