SK海力士在OCP全球峰会2026展示HBM之外的下一代AI内存技术
SK海力士在OCP全球峰会2026上展示了面向下一代AI基础设施的内存技术，包括解耦式机架级架构MARS和高带宽闪存HBF。公司还发布基于CXL 3.2标准的第二代256GB存储产品，带宽提升至上一代两倍以上，能效提高约30%。
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新浪财经 · 滚动关注度5858 IDC：三季度全球智能手机出货量同比降22%，AI采购推高存储芯片成本
IDC最新报告显示，第三季度全球智能手机出货量同比下降22%，创有记录以来最大季度降幅。IDC指出，AI产业持续扩大存储芯片采购，推动内存及存储成本上涨，压缩手机厂商利润，厂商因此提价、降低配置或取消低端机型。IDC预计全球智能手机市场最早要到2028年才能恢复增长，苹果和三星因高端机型占比较高表现相对稳健。
新浪财经 · 滚动关注度5858 IDC称智能手机出货量下滑22%，创有记录以来最大季度跌幅
市场研究机构IDC表示，受存储芯片成本上涨影响，9月所在季度智能手机出货量下滑22%，为有记录以来最大季度跌幅。IDC研究总监纳比拉·波帕尔称，内存价格自去年以来暴涨约350%且仍在走高，市场尚未触底，预计市场增长最早要到2028年才会复苏。
华尔街见闻 · 全球快讯关注度2222 超47亿元主力出逃中际旭创、新易盛、兆易创新、长鑫科技
东方财富数据显示，今日全市场主力资金净流入超1亿元的个股共61只，净流出超1亿元的共126只。主力净卖出榜中，中际旭创以17.14亿元居首，新易盛以14.80亿元次之，加上兆易创新、长鑫科技，4股合计遭主力抛售约47.66亿元。
新浪财经 · 滚动关注度2222 SK海力士预计到2030年AI基础设施性能规模将增长约20倍
SK海力士研发负责人Ahn Hyun在2026年韩国半导体展上预测，受AI推理需求快速增长推动，到2030年人工智能基础设施的性能规模将提升约20倍。他指出AI推理市场正从任务复杂度、单次处理信息量、推理请求总量三个维度同步扩张，推高对HBM、DRAM及SSD等存储介质的需求。SK海力士正布局3D堆叠DRAM、高带宽闪存HBF，并持续迭代现有HBM产品性能。
华尔街见闻 · 要闻关注度5858 SK海力士HBM4后道设备订单推迟至明年，扩产节奏低于预期
据韩国媒体Dealsite援引半导体设备行业知情人士，SK海力士原定今年下半年交付的部分HBM4后道设备订单被推迟至明年，后续发单计划尚未明确，明年投资计划也未向部分供应商正式传达。
新浪财经 · 滚动关注度2222 SK海力士预测到2030年AI基础设施性能规模将增长约20倍
SK海力士在2026年半导体展览会（SEDEX）上预测，受AI推理需求激增推动，到2030年AI基础设施性能规模将增长约20倍。开发部门负责人Ahn Hyun称，AI推理市场正从任务复杂度、单次处理信息量和推理请求数量三方面同步扩张，KV缓存对HBM、DRAM和SSD的容量需求日益增长。SK海力士正开发3D堆叠DRAM和高带宽闪存（HBF）等下一代存储技术，并继续提升现有HBM产品性能。
华尔街见闻 · 要闻精选关注度7373 全球芯片股遭遇跨市场抛售，长鑫4F² DRAM进展与AI融资成本上升引发调整
10月13日周二，从韩国、日本到美国，全球半导体板块遭遇重挫。韩国综合股价指数（KOSPI）收跌5.5%，日本存储芯片制造商铠侠（Kioxia）跌超10%；美股盘中费城半导体指数（SOX）一度跌超3%，美光科技（MU）一度跌超6%，闪迪（SNDK）、希捷科技（STX）和西部数据（WDC）也重挫。
推荐理由：全球芯片股跨市场抛售，存储股领跌，长鑫4F² DRAM进展与AI融资成本上升成为触发因素。
新浪财经 · 滚动关注度6262 长鑫科技4F²技术引发全球存储芯片股暴跌？
10月13日亚洲交易时段三星电子、SK海力士股价暴跌，晚间美股存储芯片板块继续下挫，海外市场认为抛售催化来自长鑫科技的新技术。长鑫科技总裁曹堪宇在10月9日至10日于上海举行的第四届集成芯片和芯粒大会上介绍公司在DRAM器件、4F²架构及混合键合方向的探索，并官宣预计年底推出融合上述技术的新一代DDR5 RDIMM产品。
华尔街见闻 · 要闻关注度3636 SK海力士发布MARS与HBF两大技术：MARS提速最高5倍、HBF容量达HBM的14倍
SK海力士在2026年OCP全球峰会上发布MARS内存加速架构与HBF高带宽闪存技术。MARS可将多轮AI推理的首次标记时间（TTFT）提升3至5倍，HBF带宽约为HBM的一半、容量约为HBM的14倍，计划2028年初推出样品。
华尔街见闻 · 要闻精选关注度6767 长鑫存储4F²架构进展冲击美股存储股，费城半导体指数跌2.7%
长鑫存储总裁曹堪宇宣布在下一代4F²存储单元架构上取得关键进展，计划2026年底前推出基于该架构的DDR5服务器内存产品。消息冲击美股芯片板块，费城半导体指数周一下跌2.7%创三周新低，美光收跌约4%、闪迪跌近6%、SK海力士ADR跌超4%。
推荐理由：长鑫存储4F²架构进展引发美股存储板块集体下挫，费城半导体指数跌2.7%，呈现技术突破对海外同行的情绪冲击。
华尔街见闻 · A股快讯关注度5858 南亚科技预计四季度DRAM继续涨价、毛利率更高
南亚科技总经理李培瑛称，预计第四季度DRAM价格将继续上涨，各产品涨幅有所不同，毛利率可能优于第三季度。客户正积极洽谈长期供应协议，一些战略合作伙伴盼望通过入股确保产能。
华尔街见闻 · 全球快讯关注度6060 南亚科技预计四季度DRAM继续涨价、毛利率更高
南亚科技总经理李培瑛称，预计第四季度DRAM价格将继续上涨，各产品涨幅有所不同，毛利率可能优于第三季度。客户正积极洽谈长期供应协议，一些战略合作伙伴盼望通过入股确保产能。
华尔街见闻 · 要闻关注度6262 美光闪迪领跌存储板块连续调整，三重冲击叠加
美光周一收跌3.88%，闪迪跌5.97%，两只标杆股连续七个交易日中六个交易日下跌，美光距6月高点跌幅接近20%。此轮调整源于三重冲击：韩国市场假日后补跌、三星与SK海力士合计约400亿美元回购计划提前终止，以及长鑫科技宣布4F²架构取得关键进展并计划年底推出服务器内存产品。
华尔街见闻 · 要闻关注度4848 全球手机市场三季度出货量暴跌20%，创十四年来最惨第三季度
Counterpoint Research初步数据显示，2026年第三季度全球智能手机出货量同比下滑20%，创十四年来同期最低。三星份额升至23%居首，苹果升至22%并首次在第三季度突破20%，小米出货量骤降逾30%、份额降至10%，OPPO和vivo份额分别收窄至9%和8%。存储芯片危机连续第二个季度冲击手机市场，AI基础设施建设挤占内存供应、推高元件成本，厂商普遍上调售价、削减低端出货。
华尔街见闻 · A股快讯关注度5858 Counterpoint：受内存短缺影响，全球智能手机三季度出货量同比降20%
Counterpoint Research初步估计数据显示，受内存芯片成本飙升和供应短缺压力，全球智能手机出货量同比下降20%，创下自2012年以来第三季度的最低水平。内存元件价格上涨推高生产成本，促使制造商上调零售价、削减出货量。三星以23%的市场份额保持领先，本季度出货量同比下降3%；苹果份额达22%，首次在第三季度突破20%。
华尔街见闻 · 要闻关注度2222 Marvell推出第二代Structera X 3406/3506 CXL内存扩展器，最高支持9TB DDR4内存
Marvell于10月12日发布第二代Structera X 3406和3506 CXL内存扩展器，称其为业界首款六通道CXL 3.2内存扩展器，单控制器最高支持9TB DDR4或6TB DDR5内存，内存通道数较上一代增加50%。
新浪财经 · 滚动关注度3838 机构预测2030年人形机器人内存需求激增20倍，三星电子、SK海力士积极布局
Counterpoint Research预测，人形机器人DRAM需求将从今年约8300 Tb增至2030年的172000 Tb，增长约20倍，单台所需DRAM容量从19 GB提升至39 GB。三星电子已设立机器人体验业务部并研发面向机器人的下一代半导体方案，SK海力士计划为英伟达Jetson Thor平台联合开发下一代内存产品。
新浪财经 · 滚动关注度2222 第28届韩国半导体展14日启幕：三星电子、SK海力士将展示HBM与物理AI芯片
韩国半导体产业协会10月12日表示，第28届韩国半导体展览会将于10月14日至16日举办，主题为“走进硅基智能时代”，300家企业参展、搭建888个展位，规模创历史新高。
标的新闻公告关注度2222 本周主力资金加仓锂电农业板块，长鑫科技遭30.93亿元净流出
本周主力资金加仓锂电、农业、贵金属方向，宁德时代获23.02亿元主力净流入居全市场榜首，本周累计上涨2.28%；天赐材料获净流入14.46亿元，周涨14.36%。AI产业链标的遭抛售，长鑫科技以30.93亿元净流出居首，本周累计下跌6.92%；东山精密净流出23.65亿元，周跌幅13.09%。
新浪财经 · 滚动关注度6262 阿斯麦对韩国光刻机零部件全线涨价10%，三星与SK海力士接受
阿斯麦（ASML）将对销往韩国的全部设备替换零部件上调10%价格，覆盖EUV、DUV光刻设备所有零部件，2027年1月起交付产品执行新价。ASML总部9月初通过韩国子公司向三星电子与SK海力士告知方案，经磋商后敲定，涨价范围含消耗件与大型核心组件。去年ASML服务、零部件、升级业务营收81.93亿欧元，占总销售额326.67亿欧元的25%，公司预测该业务今年营收增速超30%。
华尔街见闻 · 要闻精选关注度7373 三星明年存储产量的80%已被长协锁定
三星电子明年约80%的存储芯片产能已通过长期供应协议提前锁定，尚未签约的科技公司只能争夺剩余约20%产能。据韩国经济日报报道，英伟达、谷歌、微软等已与三星签署覆盖逾五年的供应协议；SK海力士已完成主要客户长协签署，美光战略客户协议从二季度16份增至三季度26份。
推荐理由：三星明年约80%存储产能已被长协锁定，反映AI基础设施抢产能与供应商议价权抬升。
新浪财经 · 滚动关注度3434 受内存、存储芯片短缺推高价格，游戏硬件销量跌至13年新低
受内存与存储芯片短缺推高成本，微软、任天堂与索尼均上调游戏主机售价，Circana数据显示8月游戏硬件销售额同比下滑15%，创13年来8月最低。8月游戏硬件消费支出下滑3%，今年累计支出同比下降11%。索尼PS5 Pro部分零售商二手售价已超1000美元。
华尔街见闻 · A股快讯关注度4040 消息称三星电子手机四季度最高减产30%
三星电子移动体验事业部（MX）已开始削减第四季度产量，减产幅度最高达30%。据韩媒报道，此举原因是假日季内存芯片价格大幅上涨，导致营业利润率承压。
华尔街见闻 · 全球快讯关注度4242 消息称三星手机四季度最高减产30%
三星电子移动体验事业部（MX）已开始削减今年第四季度手机产量，减产幅度最高达30%。相关消息来自韩媒，外界认为假日季内存芯片价格大幅上涨、营业利润率承压是此次减产的原因。
华尔街见闻 · 全球快讯关注度5555 美光首次明确2027-2028年供应更紧，四大基地同步扩产HBM
据中国台湾媒体《电子时报》10月2日报道，美光亚洲DRAM前端制造副总裁、美光台湾董事长董慧璐确认AI正推动强劲的内存需求，公司正同步推进四大基地的扩产。美光将供应紧张的判断明确延伸至2027至2028年，并称这是本次财报给出的增量信息。
华尔街见闻 · 全球快讯关注度6161 集邦咨询：AI服务器需求支撑四季度存储器合约价，DRAM预计季增10%-15%
集邦咨询最新存储器产业研究显示，2026年第四季度DRAM原厂持续将先进制程投入服务器高性能产品，整体维持供不应求格局，但合约价涨势放缓，一般型DRAM合约价预计季增10%-15%。NAND Flash市场呈现AI加速与消费性需求偏弱但仍连带涨价的双轨发展，整体合约价预计季增15%-20%。
华尔街见闻 · 全球快讯关注度3939 AI算力需求带动存储芯片升级，产业链景气度获机构看好
AI算力与数据中心需求持续释放，DDR5、HBM、3D NAND等存储芯片技术升级正拓展产业空间，存储芯片成为影响算力效率的关键环节。机构认为，AI服务器与高容量内存需求扩张，叠加产能向高附加值产品集中、新增产能释放周期较长，存储芯片价格有望获得支撑，供应商议价能力有望持续增强。
华尔街见闻 · 要闻关注度6161 三星：明年HBM将占DRAM产能近30%，传统内存供应或进一步收紧
三星电子执行副总裁Kim Taewoo预计，2027年HBM将占全球DRAM晶圆总产能的近30%，高于目前约20%的水平，因HBM与传统DRAM共用晶圆产能，传统DRAM供应空间将被进一步压缩。
新浪财经 · 滚动关注度5454 三星高管预计明年HBM将占行业DRAM产能近30%
三星电子执行副总裁Kim Taewoo表示，预计明年高带宽内存（HBM）将占到DRAM芯片制造商晶圆总产能的近30%，高于目前的约20%。HBM与标准DRAM争夺相同的晶圆产能，扩大HBM产量可能限制标准DRAM的供应。该市场目前主要由SK海力士、三星电子和美光科技主导。