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英飞凌与英伟达合作开发GaN电源转换系统
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模型综述
2025年，英飞凌与英伟达启动面向AI数据中心的800伏直流（800 VDC）供电架构项目。2026年10月21日，英飞凌宣布深化与英伟达的合作，推进该800 VDC供电架构，重点开发高压中间总线转换器（IBC），并利用氮化镓（GaN）功率半导体技术提高电源转换效率和功率密度，降低能量损耗及散热需求。此次合作涵盖中间总线转换及电源路径保护等环节。
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最新进展10月21日 19:03
英飞凌宣布深化与英伟达合作，开发GaN高压中间总线转换器，推进800伏直流AI数据中心供电架构。报道时间线
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10月21日
- 华尔街见闻 · 全球快讯英飞凌与英伟达合作开发氮化镓电源转换系统，支持800伏直流AI数据中心
英飞凌宣布深化与英伟达的合作，推进面向AI数据中心的800伏直流（800 VDC）供电架构，重点开发高压中间总线转换器（IBC）。英飞凌将利用氮化镓（GaN）功率半导体技术提高电源转换效率和功率密度，降低能量损耗及散热需求。此次合作延续双方自2025年启动的800伏直流供电架构项目，涵盖中间总线转换及电源路径保护等环节。
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