报道：三星将采用台积电3纳米制程为英伟达生产NVHBM基底裸片

据首尔经济日报报道，三星电子将采用台积电3纳米制程，为英伟达下一代定制HBM芯片生产基底裸片，这将是三星首次在HBM制造阶段与台积电合作。英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电工艺制造NVHBM基底裸片，核心芯片则采用第六代DRAM技术。三星经内部评估后接受该要求，但标准HBM及其他客户定制产品仍自主生产，并正评估自有代工厂能否在台积电产能不足时承接NVHBM基底裸片。